Transistor N-MOSFET unipolar 200V 65A 190W TO220AB HEXFET®. Mod. IRFB4227PBF

Name: Transistor N-MOSFET unipolar 200V 65A 190W TO220AB HEXFET®. Mod. IRFB4227PBF
SKU: IRFB4227PBFTME
Price: 3.25 EUR
Availability: InStock

Lógicos Transistor MOSFET

3,25 €

Añadir a la cesta

Términos y condiciones
Garantía de devolución de 30 días
Envío: 2-3 días hábiles

Transistor N-MOSFET unipolar 200V 65A 190W TO220AB HEXFET®. Mod. IRFB4227PBF

Fabricante	Infineon (IRF)
Tipo de transistor	N-MOSFET
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	200V
Corriente del drenaje	65A
Potencia	190W
Carcasa	TO220AB
Tensión puerta-fuente	±30V
Resistencia en estado de transferencia	26mΩ
Resistencia térmica conector-carcasa	0.45K/W
Montaje	THT
Carga de puerta	70nC
Tecnología	HEXFET®

Información adicional

Peso bruto: 1.77 g