Especificaciones:
| Fabricante | INFINEON TECHNOLOGIES | |
| Tipo de transistor | N-MOSFET | |
| Tecnología | HEXFET® | |
| Polarización | unipolar | |
| Tensión drenaje-fuente | 75V | |
| Corriente del drenaje | 80A | |
| Poder disipado | 200W | |
| Carcasa | TO220AB | |
| Tensión puerta-fuente | ±20V | |
| Resistencia en estado de transferencia | 12,6mΩ | |
| Montaje | THT | |
| Carga de puerta | 89nC | |
| Clase de empaquetado | tubo | |
| Clase de canal | enriquecido |