Especificaciones:
Fabricante | TOSHIBA |
Tipo de transistor | N-MOSFET |
Polarización | unipolar |
Tensión drenaje-fuente | 600V |
Corriente del drenaje | 9,7A |
Poder disipado | 30W |
Carcasa | SC67 |
Tensión puerta-fuente | ±30V |
Resistencia en estado de transferencia | 327mΩ |
Montaje | THT |
Carga de puerta | 20nC |
Clase de empaquetado | tubo |
Clase de canal | enriquecido |