Transistor N-MOSFET unipolar 100V 130A 370W TO220AB. Mod. IRFB4110PBF

Esta combinación no existe.

Términos y condiciones
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Especificaciones:

Fabricante	Infineon (IRF)
Tipo de transistor	N-MOSFET
Tecnología	HEXFET®
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	100V
Corriente del drenaje	130A
Poder disipado	370W
Carcasa	TO220AB
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	4.5mΩ
Montaje	THT
Carga de puerta	150nC
Clase de empaquetado	tubo