Transistor N-MOSFET 30 A 60 V TO-220AB . Mod. FQP30N06

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    Transistor N-MOSFET 30 A 60 V TO-220AB . Mod. FQP30N06

    Especificaciones:

    Tipo de Canal N
    Corriente Máxima Continua de Drenaje 30 A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente 60 V
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente 40 mΩ
    Tensión de umbral de puerta mínima 2V
    Tensión Máxima Puerta-Fuente -25 V, +25 V
    Tipo de Encapsulado TO-220AB
    Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
    Conteo de Pines 3
    Configuración de transistor Simple
    Modo de Canal Mejora
    Categoría MOSFET de potencia
    Disipación de Potencia Máxima 79 W
    Material del transistor Si
    Tiempo de Retardo de Encendido Típico 10 ns
    Dimensiones 10.1 x 4.7 x 9.4mm
    Longitud 10.1mm
    Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
    Capacitancia de Entrada Típica @Vds 725 pF a 25 V
    Tiempo de Retardo de Apagado Típico 35 ns
    Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
    Serie QFET
    Altura 9.4mm
    Número de Elementos por Chip 1
    Ancho 4.7mm
    Carga Típica de Puerta @ Vgs 19 nC a 10 V