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  2. Transistor NPN de media potencia y alto voltaje. IC: 0.5 A, PTOT: 20 W, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V. Mod. MJE340

Transistor NPN de media potencia y alto voltaje. IC: 0.5 A, PTOT: 20 W, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V. Mod. MJE340

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    Transistor NPN de media potencia y alto voltaje. IC: 0.5 A, PTOT: 20 W, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V. Mod. MJE340

    Características:

      • Transistor Bipolar (BJT) NPN
      • IC max: 500 mA (0.5 A)
      • PTOT: 20 W
      • VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V
      • hFE: 30 mínimo, 240 max. (@ IC= 50 mA, VCE= 10 V)
      • Encapsulado: TO-126